晶電VS光鋐

人：晶電VS光鋐（可成集團旗下，4956）

事：控告光鋐侵犯晶電4項紅外線LED專利

時：2016/3

地：台灣智財法院

物：紅外線LED應用在安控、虹膜辨識以及汽車夜視功能上，以感測、辨識功能為大宗，隨著功率大小不同，單顆報價落差極大，約當每顆新台幣1～10元之間，部分製程與四元高亮度LED晶粒（Ultra-High Brightness LED Chip）相同。晶電為全球第1大紅光LED製造廠，高亮度紅光LED也是晶電主要的獲利來源。

摘要：

晶電控告光鋐科技之LED產品如型號「BN-D4242J-A3」、「BN-D4242E-A3」等紅外線LED晶粒侵害晶元光電所擁有包括中華民國發明第141155號、第170789號、第202662號及第I283031號等4項發明專利。

據悉，光鋐已經收到晶電的訴訟文件，不過高層認為沒有侵權疑慮，會主張權利，並依照法律訴訟程序進行。

Note:

2005年底，晶電又合併了國聯光電。當時，晶電與國聯分別為國內前兩大LED上游磊晶廠，合併後晶電產品線更加完整，綜效立見，成為全球最大的四元LED廠商，也躍居台灣藍光LED中上游龍頭。合併完成後，國聯最大股東萬海集團也成為晶電的第二大股東，僅次於原來的最大股東億光電子。由於晶電的很多下游客戶與億光有業務競爭關係，為了降低這些客戶的疑慮，億光把晶電的董座禮讓給萬海集團。

PS.

1.晶元光電

I283031 利用低熔點金屬結合化合物半導體與高熱導係數基板的方法
METHOD FOR INTEGRATING COMPOUND SEMICONDUCTOR WITH SUBSTRATE OF HIGH THERMAL CONDUCTIVITY

本發明提供一種結合化合物半導體與高熱導係數基板的方法。本發明運用了一低熔點金屬，因其可於低溫(約在200℃)下融成液態之導接層來進行導接製程。本發明方法包含：提供一化合物半導體結構，其包括一基板及一磊晶層形成於基板上。然後，形成一第一導接層於磊晶層上。選擇一高熱導係數基板，其熱導係數大於化合物半導體結構之基板。然後，形成一第二導接層於高熱導係數基板上。於一溫度，加壓化合物半導體結構之基板及高熱導係數基板，使得第一導接層及第二導接層接觸，以形成一合金導接層。

2.晶元光電

170789 具有非單晶相中間層之金屬鍵結發光二極體

一種具有非單晶相中間層之金屬鍵結發光二極體及其製法，該製法包含下列步驟：在一第一基板上形成一半導體疊層、一非單晶相中間層、一金屬鍵結層，構成一第一疊層構造；選擇一第二基板上；將第一疊層構造與該第二基板結合在一起，構成一第二疊層構造；以及移除該第一基板。

3.國聯光電

141155 發光二極體及其製造方法

本發明運用了一高導電性與高反射性之金屬以避免發出之光被基板吸收掉，以及採用可融化成液態之焊接層來進行焊接製程，因此可獲得較佳之導接性質同時可在較低的溫度下進行焊接製程。本發明係提供垂直堆疊之發光二極體晶粒結構，因此僅需要一單一之導線，可使得發光二極體的配線變得更容易施行，並且可以降低製造成本。此外，本發明可以大幅降低發光二極體晶粒之尺寸，且具有較佳之散熱效果，因此發光二極體的效能穩定性較佳且可以被應用於較高的電流強度之下。

4.國聯光電

202662 於非透明基板製造高發光效率元件的方法

一種於非透明基板製造高發光效率元件的方法，分別於一第一基板上形成一半導體磊晶層、一第一導電層、一反射層及一第一導接層；及於一第二基板上形成一第二導接層。以加溫加壓之方式將該第一及第二導接層接合後去除第一基板及形成一第二導電層後，即可製造有較佳發光效率及較佳散熱效率之發光元件。

Original Data: 

http://www.chinatimes.com/newspapers/20160308000065-260202

http://www.epistar.com.tw/_chinese/04_pr/02_detail.php?SID=77

http://www.jonesday.com/zh-CHT/----05-23-2013/

波士頓大學控告晶電侵權

人：波士頓大學控告磊晶廠晶電（2448）侵權

事：侵害波士頓大學專利，美陪審團初步裁定賠款930萬美元（約新台幣3億元），未來仍可上訴。

時：2015/11

地：U.S.A

物：波士頓大學以US 5,686,738「高絕緣單晶氮化鎵薄膜」專利（藍光LED磊晶製程，終端產品涵蓋背光、照明等）控告晶電侵權。

摘要：

晶電被認為「蓄意侵權（willful infringement，即在知悉波士頓大學專利下仍生產銷售）」及「誘導（億光及光寶）侵權（induced infringement）」，須加重賠償。另美國大廠科銳（Cree）控告宏齊（6168）、東貝（2499）以及封裝廠，科銳不少專利也是來自波士頓大學的授權。

Note:

Highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films
US 5686738 A

ABSTRACT

This invention relates to a method of preparing highly insulating GaN single crystal films in a molecular beam epitaxial growth chamber. A single crystal substrate is provided with the appropriate lattice match for the desired crystal structure of GaN. A molecular beam source of Ga and source of activated atomic and ionic nitrogen are provided within the growth chamber. The desired film is deposited by exposing the substrate to Ga and nitrogen sources in a two step growth process using a low temperature nucleation step and a high temperature growth step. The low temperature process is carried out at 100-400° C. and the high temperature process is carried out at 600-900° C. The preferred source of activated nitrogen is an electron cyclotron resonance microwave plasma.

COUNT I: INFRINGEMENT OF U.S. PATENT NO. 5,686,738

The University is informed and believes, and thereon alleges, that Defendants’ product bearing product code(s) 53436, Par 30 10W Dimmable LED, Epistar 85-265VAC 80, 53436W Par 30 10W is a gallium nitride thin film semiconductor device claimed by the ’738 patent and thus infringes one or more claims of the ’738 patent. The University is informed and believes, and further alleges, that additional products of Defendants also constitute and/or include the claimed gallium nitride thin film semiconductor device and also infringe one or more claims of the ’738 patent, including light emitting diodes (“LEDs”) and products bearing LEDs (collectively referred to as “Accused Products”).

The University is informed and believes, and thereon alleges, that the applicable requirements of 35 U.S.C. § 287 have been satisfied. 

The University is informed and believes, and thereon alleges, that Defendants, individually and collectively, have infringed, and continue to infringe, one or more claims of the ’738 patent, in violation of 35 U.S.C. § 271(a), by, among other things, making using, offering to sell, selling and/or importing in and/or into the United States, without authority or license from 4 15108744v.1 the University, the Accused Products falling within the scope of one or more claims of the ’738 patent.

Defendants’ acts of infringement have caused and will continue to cause substantial and irreparable damage to the University. 

As a result of the infringement of the ’738 patent by Defendants, the University has been damaged. The University is therefore entitled to such damages pursuant to 35 U.S.C. § 284 in an amount that presently cannot be pled but that will be determined at trial.

Original Data: 

http://news.ltn.com.tw/news/business/paper/935594